Fuzz Face

#21

Странное дело: писал ответ, а браузер обновил страницу и всё исчезло Буду писать тогда по разделениям.
Напряжение cutoff - это напряжение, при котором JFET (считается) прекращает проводить (т.е., ток через него становится пренебрежимо мал - этот ток указывается в качестве сопровождающего параметра к напряжению cutoff). Единственное замечание - это напряжение должно быть отрицательным для данной проводимости JFET (N или P). Вспоминаем также, что, подобно лампам, JFET является прибором с левой характеристикой, т.е., проводит даже если на затворе относительно истока напряжение =0. Ток, который при этом получается определяется в datasheet как Idss.
Схема на JFET работает следующим образом: при подключении между затвором и источником диода за счёт токов утечки диода напряжение на затворе становится примерно равным напряжению питания. Так как при включении ток между стоком и истоком не протекал, напряжение на истоке =0 (отсутствует ток - отсутствует падение напряжения на истоковой цепи). JFET начинает открываться, ток увеличивается, напряжение на цепи, включенной в исток начинает расти. Однако, оно никогда не сможет превысить напряжение питания (в реальности - будет меньше). Фактически мы приходим к варианту, когда напряжение на затворе и истоке равно и через JFET протекает ток Idss.
Если мы подключим между затвором и землёй сопротивление, мы получим, что ток утечки диода очень мал, чтобы создать на этом сопротивлении какое-либо вменяемое напряжение (допустим, ток утечки диода - 1мкА, тогда на сопротивлении в 100к мы получим напряжение в 0,1В). Можно считать, что потенциал затвора становится =0. Если напряжение cutoff меньше напряжения питания, то JFET должен закрыться. В реальности, уменьшение тока через JFET приводит к тому, что напряжение на истоке также уменьшается. Возникает баланс, при котором напряжение между затвором и истоком определяет некоторый гарантированно меньший ток через цепь истока, в свою очередь определяющий это самое напряжение между затвором и истоком. Чем меньше напряжение cutoff, тем меньший ток потребуется для достижения баланса, значит тем более гарантированно мы погасим таким образом LED.

Отправлено спустя 6 минут 33 секунды:
С MOSFET всё немного по-другому. Это - прибор с положительной характеристикой. Для того, чтобы MOSFET начал проводить, ему на затвор необходимо подать напряжение, превышающее некоторое пороговое напряжение (threshold), причём положительное (с т.з. выбранного типа проводимости). Два диода, за счёт своих токов утечки создают на затворе относительно земли (=истоку) половину напряжения питания. Если напряжение threshold MOSFET-а будет выше этого значения, то MOSFET не откроется, LED не загорится, схема работать не будет. Если меньше - транзистор откроется, начнёт протекать ток, обеспечивающий свечение LED.
Если теперь зашунтировать нижний диод сопротивлением, то, как и в первом случае, тока утечки будет недостаточно, чтобы создать на этом сопротивлении достаточное напряжение, соответственно, потенциал затвора будет примерно =0 (что гарантированно меньше напряжения threshold, поскольку потенциал истока также равен 0), транзистор закроется, ток перестанет протекать и светодиод погаснет.

#22

Я тогда буду тоже спрашивать по разделам)

poty писал(а): ↑
31 мар 2019, 21:47
Единственное замечание - это напряжение должно быть отрицательным для данной проводимости JFET (N или P).

На примере глушилки в гитарнике, которую мы реализовали.
у нас там CTRLPWR+ было +5вольт.
Не понимаю, что значит отрицательное для данной проводимости.

#23

Стрелочка на схеме направлена от черточки - проводимость JFET - P. Для этой проводимости исток подключается к плюсу (на приведённой схеме он получается сверху), сток - к минусу (на приведённой схеме - снизу). Т.е., землёй является CTRPWR+ и мы ему присваиваем потенциал =0, питанием - GND, у него будет потенциал 5В. То, что в реальности этот потенциал относительно земли у нас отрицательный - роли не играет. С точки зрения анализа схемы - он 5В.
Смотрим значение Gate-Source Cutoff Voltage для данного транзистора: 1,8В, видим, что ток при этом будет 1мкА, если напряжение сток-исток (Vds) будет 15В. Естественно, при меньших значениях Vds значение Vgs(off) также будет меньше, как и ток утечки. Теперь посмотрим, что означают эти 1,8В, между чем и чем и в какой полярности их нужно подать? Для того, чтобы JFET закрылся, напряжение на его затворе должно быть меньше напряжения на истоке на значение Vgs(off). Допустим (этого нет на схеме, я просто рассуждаю!), исток у нас подключен к потенциалу CTRPWR+. Тогда затвор должен иметь потенциал (CTRPWR+)-1,8В. Голова не закружилась?

Ведь если "отсчитывать" потенциал от земли, обозначенной на схеме, (CTRPWR+)-1,8В = 6,8В!!! Вот почему я говорил, что мы должны учитывать знак "потенциала", оглядываясь на проводимость JFET.
Что касается приведённой схемы. Если симистор D5 находится в выключенном положении, то он представляет собой обратно смещённый диод (по аналогии с вышеприведённым millennium), его тока утечки не хватает, чтобы на R21 появилось хоть какое-нибудь напряжение и можно принять, что потенциал затвора CTRPWR+. При этом исток вообще не подключен ни к какому постоянному напряжению, т.е., его потенциал равен GND по постоянному току и изменяется в соответствии с сигналом. Напряжение затвор-исток получается = -5В, что больше Vgs(off) и JFET закрыт.
Как только симистор открывается, потенциал затвора становится равным GND, сравнивается с потенциалом по DC истока и JFET становится похож на сопротивление небольшого номинала ("открывается", начинает проводить). Однако, если амплитуда сигнала превысит 1,8В, то JFET закроется!

#24

кровь из глаз не пошла

Еще вчитаюсь, но в целом понятно, спасибо!

#25

Итоговый отчет

Кстати, это лучший фузз из всех что я слышал

#26

Добрый вечер. Собрал данную педаль,а она звучит как немного перегруженная акустика. Подстройка напряжений не помогает. Транзисторы МП16 и МП20 с hfe 120. На базе первого 0в. Никто не сталкивался с данной проблемой?

#27

У меня именно подстройка напряжений дала искомый в звуке результат.

#28

Насколько я понял, резистор в коллекторе VT1 влияет на сустейн. Резисторы рассчитывал калькулятором Fuzz Face

#29

Расскажите поподробнее о проблеме, Djoonk.
Куда подключаете педаль? По идее, она должна подключаться на выход гитары, а не после другой педали или в петлю.
В оригинальной конструкции усиление первого транзистора всегда меньше усиления второго - это создаёт необходимые условия для автосмещения всей схемы - поэтому (возможно) у Вас и 0 на базе первого транзистора. Вы же упомянули одинаковый hfe для обоих транзисторов (если я правильно понял).
Прибор, которым Вы меряете. позволяет измерить десятые доли вольта?
Осциллографа нет?

#30

poty писал(а): ↑
11 авг 2019, 23:34
Расскажите поподробнее о проблеме, Djoonk.
Куда подключаете педаль? По идее, она должна подключаться на выход гитары, а не после другой педали или в петлю.
В оригинальной конструкции усиление первого транзистора всегда меньше усиления второго - это создаёт необходимые условия для автосмещения всей схемы - поэтому (возможно) у Вас и 0 на базе первого транзистора. Вы же упомянули одинаковый hfe для обоих транзисторов (если я правильно понял).
Прибор, которым Вы меряете. позволяет измерить десятые доли вольта?
Осциллографа нет?

Выход педали подключаю в гитарный усилитель, на вход подключаю гитару. Сначала ставил транзисторы с коэффициентами 90 и 120 соответственно, картина была та же.
Мультиметр Uni-t M890g, десятые меряет. Осциллограф есть, только на работе

#31

Поставил в коллекторы обоих транзисторов переменные резисторы. Итого на VT1: база-0,1В, коллектор-0,7в; VT2: коллектор 3,2, эмитер 0,6. Появилось уже некое подобие перегруза, но всё равно звук ещё не тот

РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ ФОРУМ САМОДЕЛЬЩИКОВ

Fuzz Face

Кто сейчас на конференции