имеется в виду микроmhos? Так он напрямую измеряется Л1-3, это S. Только S измеряется в миллиmhos, или, по русски, mA/V.
конечно можно. И не только при даташитных параметрах. Но по сути можно измерить любые два параметра и рассчитать третий. Один (S) измеряется непосредственно. Второй (ra, анодное сопротивление) - изменить анодное напряжение и измерить изменение Ia. Потом - закон Ома.
Мю тоже можно измерить напрямую: измерить Ia, изменить Vg, переключить в измерение Ia и регулируя Va вернуть первоначальный ток, переключится в Va и измерить новое значение, а потом - посчитать мю.
Отправлено спустя 13 минут 39 секунд:
ух, давайте разбираться. Если посмотреть в тему по расчёту схемы на лампах, там мы рассматривали источники тока. По факту, сопротивление источника тока зависит от сопротивления в обратной связи и усиления прибора. Т.е. напрямую увеличение сопротивления - не есть единственный фактор качества работы источника тока.Евгений Михеев писал(а): ↑18 окт 2024, 17:56высказал мнение что в качестве источника тока 2sk246 лучше чем 2sk170 так как чтобы нарулить один и тот же ток (например 1.5мА) для 2sk170 нужент резистор 220 ом а для 2sk246 910 ом - что резистор бОльшей величины - лучше в плане стабильности. Дрейф ...
Что касается дрейфа. Я так понимаю, что речь идёт о температурном дрейфе, т.е. об изменении заданного тока от изменения температуры. Рассматривая конструкцию источника тока мы понимаем, что он состоит из активного прибора и сопротивления в ОС. Сопротивление источника тока состоит из выходного сопротивления активного прибора и увеличенного в коэффициент усиления активного прибора раз сопротивления в ОС. Сопротивление гораздо стабильнее транзистора, например, поэтому, чем оно больше, тем меньше вклад транзистора в сопротивление источника она и в изменение установленного тока, разумеется. Опять же, на сколько это влияние велико зависит от усиления транзистора, можно это по характеристикам посчитать.
И есть ещё третий фактор - стабильность с точки зрения самовозбуждения.
)